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MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET
TO-247-4
NVH4L080N120SC1 1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET采用全新技术，与硅器件相比，具有更出色的开关性能和更高的可靠性。这些MOSFET具有低导通电阻，可确保低电容和低栅极电荷。1200V EliteSiC MOSFET可实现的系统优势包括提高效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI以及减小系统尺寸。这些MOSFET具有阻断电压、高速开关、低电容等特性，工作温度范围为-55°C至175°C。1200V SiC MOSFET符合汽车AEC-Q101标准和RoHS指令。这些MOSFET非常适合用于升压逆变器、充电站、直流-直流逆变器、直流-直流转换器、车载充电器 (OBC)、电机控制、工业电源和服务器电源。
产品参数：
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-4LD
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 29 A
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 15 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.3 V
Qg-栅极电荷: 56 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 170 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 5.4 ns
正向跨导 - 最小值: 11.3 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.2 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 26.8 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 6 g
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我们提供的产品均来自原厂正品.
包装：原厂标准包装
港口：深圳
Q1:平台上看到的库存和价格是否准确？
A1:所有上架的线上商品都可以线上订购，但考虑到现货库存流动性大，目前无法做到100%准确。如有异常，您可以在线联系我司并给出相应的解决方案。
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A2:目前我们自营品牌 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌。其他渠道为原厂和代理渠道。如有需要，我们可以根据具体品牌和型号进行沟通确认。
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A3:是的，我们在发货前 100% 测试和检查所有商品。
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A4:全额付款。货物将在收到付款后 1-5 个工作日内发货。
Q5.如何退款和换货？
A5:100% 退款保证或交换同级产品。
Q6:公司可以开具发票吗？
A6:您可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。
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