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600-V 70m 氮化镓 (GaN) IC With Integrated Driver And Protection 32-VQFN -40 to 125
VQFN32
LMG3410R070RWHR GaN 功率级具有集成型驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。
LMG3410R070RWHR通过集成一系列独一无二的特性提供传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的 替代产品 ，以简化设计，最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关（Vds 振铃几乎为零），低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。
产品规格：
制造商: LMG3410R070RWHR
产品种类: 门驱动器
RoHS: 详细信息
产品: MOSFET Gate Drivers
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VQFN-32
激励器数量: 1 Driver
输出端数量: 1 Output
输出电流: 40 A
电源电压-最小: 9.5 V
电源电压-最大: 18 V
配置: Non-Inverting
上升时间: 15 ns
下降时间: 4.2 ns
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
系列: LMG3410R070
逻辑类型: CMOS
最大关闭延迟时间: 10 ns
最大开启延迟时间: 12 ns
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 43 mA
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 20 ns, 36 ns
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
商标名: GaN
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