AUIRF8739L2TR将最新的汽车 HEXFET® 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFET® 封装相结合技术可在具有 SO-8 或 5X6mm PQFN 封装且仅 0.7mm 轮廓的封装中实现卓越性能。这DirectFET® 封装与电源应用、PCB 组装设备和气相、红外或对流焊接技术，当遵循关于制造方法和工艺的应用说明 AN-1035 时。 DirectFET®封装允许双面冷却，以最大限度地提高汽车电源系统中的热传递。

AUIRF8739L2TR这款 HEXFET® 功率 MOSFET 专为重视效率和功率密度的应用而设计。先进的 DirectFET® 封装平台与最新的硅技术相结合，使 AUIRF8739L2 能够提供大量的系统级节省和性能改进特别是在 ICE、HEV 和 EV 平台上的电机驱动、DC-DC 和其他重载应用。该 MOSFET 采用最新工艺技术来实现每硅面积的超低导通电阻。该 MOSFET 的其他特点是 175°C 的工作结温和高重复峰值电流能力。这些特性相结合，使这款 MOSFET 成为高效、坚固且可靠的大电流器件汽车应用。

产品规格：

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DirectFET-L8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 545 A

Rds On-漏源导通电阻: 600 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 40 V, + 40 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 562 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 340 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

配置: Single

下降时间: 95 ns

正向跨导 - 最小值: 250 S

高度: 0.74 mm

长度: 9.15 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 117 ns

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 120 ns

典型接通延迟时间: 34 ns

宽度: 7.1 mm

零件号别名: AUIRF8739L2TR SP001516480

单位重量: 176.520 mg