INFINEON
标准包装
CoolSiC™ 1200 V 碳化硅沟槽 MOSFET
TO-247-3
采用TO247-3封装的1200V 7mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
产品参数：
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Through Hole
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 225 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5.2 V
Qg-栅极电荷: 220 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 750 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
产品: MOSFET
产品类型: MOSFET
子类别: MOSFETs
零件号别名: IMW120R007M1H SP005425447
我们支持客户付款的有国内银行卡、微信、支付宝。
我们合作的货运代理、顺丰、圆通、中通、韵达、德邦等
我们提供的产品均来自原厂正品.
包装：原厂标准包装
港口：深圳
Q1:平台上看到的库存和价格是否准确？
A1:所有上架的线上商品都可以线上订购，但考虑到现货库存流动性大，目前无法做到100%准确。如有异常，您可以在线联系我司并给出相应的解决方案。
Q2: 能否提供原厂或代理商的资质证明？
A2:目前我们自营品牌 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌。其他渠道为原厂和代理渠道。如有需要，我们可以根据具体品牌和型号进行沟通确认。
Q3.您是否在交货前测试或检查所有货物？
A3:是的，我们在发货前 100% 测试和检查所有商品。
Q4.你们的付款条件是什么？你们什么时候把零件寄给我？
A4:全额付款。货物将在收到付款后 1-5 个工作日内发货。
Q5.如何退款和换货？
A5:100% 退款保证或交换同级产品。
Q6:公司可以开具发票吗？
A6:您可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。
注册登录之后才可以进行留言提交
版权所有 2022 深圳市美裕芯科技有限公司 电话：+86-13530718420 粤ICP备2022094269号-1
