众所周知，在集成电路领域中，它的正确叫法是7nm制程工艺，或者7nm工艺。它的意思就是在集成电路（芯片）中，一个元件的尺寸能够达到7nm那么微小。也就是说，16nm工艺就代表着元件能够达到16nm大小。并且元件尺寸越微小，那么技术越先进，制造难度也就会越高。

对比于现在一些主流的10nm、14nm与16nm工艺，同一个尺寸的集成电路（芯片）如果用的是7nm工艺，那么芯片上电子元件数量也就会更多，所以性能也就会更强，与此同时，功耗与发热却是会降低的。总体而言，7nm代表更强的性能与更低的功耗、发热。

当前半导体产业中，能支持7nm工艺节点的光刻机设备是一种高度复杂的设备，其涉及高性能光源、精密光学器件和精确计量等无数个关键部件。据了解，此次俄罗斯研究所计划打造的设备与ASML或尼康等公司生产的光刻机有所不同。例如，俄罗斯研究所计划使用大于600W的光源（总功率，而非中间聚焦功率），曝光波长为11．3nm（EUV波长为13．5nm），这将需要比现在更复杂的光学器件。由于该设备的光源功率相对较低，这将使该工具更紧凑、更容易制造。然而，这也意味着其扫描仪的产量将大大低于现代深紫外（DUV）工具。不过在IAP看来，这或许不是问题。

提到“2028年之前建成”这一时间节点IAP表示非常乐观。参考目前世界各大头部光刻机厂商的研发进程来看：ASML在2003年底推出了其第一个浸没式光刻系统－Twinscan XT：1250i，计划在2004年第三季度交付一个，以生产65nm逻辑芯片和70nm半间距DRAM。该公司花了大约五年时间，于2008年底发布了具有32nm功能的Twinscan NXT：1950i，从2009年开始交付客户。

然后，ASML又花了大约九年的时间，在2018年推出了具有7nm和5nm功能的Twinscan NXT：2000i DUV光刻机。综合来看，ASML用了将近14年的时间，从65nm发展到7nm，可见的先进工艺的提升有多么困难。

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对此，俄罗斯科学院微结构物理研究所负责科技发展的副所长尼古拉·奇哈洛表示：“ASML是全球光刻技术的领导者，近20年来一直在开发其EUV光刻系统，结果证明该技术极其复杂。在这种情况下，ASML的主要目标是保持世界上最大的工厂所需的极高生产率。在俄罗斯，没有人需要如此高的生产率。在我们的工作中，我们从国内微电子面临的需求和任务开始－这与其说是数量，不如说是质量。首先，我们需要过渡到我们自己的制造工艺es，开发我们自己的设计标准，我们自己的工具，工程，材料，所以我们自己的道路在这里是不可避免的。事实上，我们需要在简单性和性能之间取得平衡。＂

换句话说，IAP计划在2024年之前建造一台功能齐全的设备。这台设备不必提供高生产率或最高分辨率，但必须能够工作，并对潜在投资者具有吸引力。IAP计划在2026年之前构建一个具有更高生产率和分辨率的扫描仪测试版。这台设备的生产率预计不会达到最高水平，但满足批量生产应该没有问题。

据悉，IAP研发的7nm光刻机将于2028年问世，它应该拥有高性能光源（因此生产率更高）、更好的计量和整体能力。不过，目前还不清楚到2028年IAP和／或其生产伙伴将能够生产多少台这样的设备。