深圳市美裕芯科技有限公司【出售存储器芯片】MT28EW01GABA1HJS-0SIT 存储器NOR闪存 EW-SERIES FLASH NOR SLC 64MX16 TSOP 质量保证 全新原装！！！

产品描述:

MT28EW01GABA1HJS-0SIT该设备是一种异步、统一块、并行 NOR 闪存设备。READ、ERASE 和 PROGRAM 操作是使用单个低压电源执行的。 上电后，设备默认为读取阵列模式。主存储器阵列被划分为可独立擦除的统一块，以便在清除旧数据的同时保留有效数据。 编程和擦除命令被写入内存的命令接口。 片上程序/擦除控制器通过采取简化了编程或擦除存储器的过程处理更新内存内容所需的所有特殊操作。 一个结束可以检测到编程或擦除操作，并可以识别任何错误情况。 控制设备所需的命令集符合 JEDEC 标准。

MT28EW01GABA1HJS-0SIT该设备支持从所有块的异步随机读取和页面读取大批。 它还具有一个内部程序缓冲区，可通过一个命令序列对 512 个字进行编程，从而提高吞吐量。 一个 128 字的扩展内存块与数组块 0 重叠地址。用户可以对这个额外的空间进行编程，然后保护它以永久保护内容。 该设备还具有不同级别的硬件和软件保护，以保护块免受不必要的修改。

产品特点：

• 单级电池 (SLC) 技术

• 密度：512Mb

• 电源电压

– VCC = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取）

– VCCQ = 1.65 - VCC（I/O 缓冲器）

• 异步随机/页面读取

– 页面大小：16 个字或 32 个字节

– 页面访问：20ns

– 随机存取：95ns (VCC = VCCQ = 2.7-3.6V)

– 随机访问：100ns (VCCQ = 1.65-VCC)

• 缓冲程序（512字程序缓冲区）

– 使用全缓冲程序时为 2.0 MB/s (TYP)

– 使用加速缓冲区时为 2.5 MB/s (TYP)程序 (VHH)

• 字/字节程序：每个字 25us (TYP)

• 块擦除 (128KB)：0.2s (TYP)

• 记忆组织

– 统一块：每个 128KB 或 64KW

– x8/x16 数据总线

• 编程/擦除挂起和恢复能力

– 在程序期间从另一个块读取暂停操作

– 在 ERASE 期间读取或编程另一个块暂停操作

• 解锁旁路、块擦除、芯片擦除和写入缓冲能力

• BLANK CHECK 操作以验证已擦除的块

•循环冗余校验（CRC）操作，以验证程序模式

• VPP/WP# 保护

– 保护第一个或最后一个块，不管块保护设置

• 软件保护

– 挥发性保护

– 非易失性保护

– 密码保护

• 扩展内存块

– 128 字（256 字节）块，用于永久、安全

- 编程或锁定在工厂或由

• 符合 JESD47 标准

– 每个块 100,000（最少）ERASE 周期

– 数据保留：20 年（典型值）

• 包裹

– 56 引脚 TSOP，14 x 20mm (JS)

– 64 球 LBGA，11 x 13mm (PC)

– 56 球 VFBGA，7 x 9mm (PN)

• 符合 RoHS 标准的无卤素包装

• 工作温度

– 环境：–40°C 至 +85°C