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分立半导体模块 Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 6 mohm SiC MOSFET
IGBT
NXH006P120MNF2PTG半桥SiC模块具有两个6mΩ 1200V SiC MOSFET开关和1个热敏电阻，采用F2封装。这些SiC MOSFET开关采用M1技术，由18V至20V栅极驱动。NXH006P120MNF2模块采用平面技术，裸片热阻低，因此可靠性高。典型应用包括直流-交流转换、直流-直流转换、能量存储系统、UPS、交流-直流转换、电动汽车充电站和太阳能逆变器。
产品参数：
产品种类: 分立半导体模块
RoHS: 详细信息
产品: Power MOSFET Modules
类型: Half Bridge Module
技术: SiC
Vr - 反向电压 : 1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压: - 15 V, 25 V
安装风格: Press Fit
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
子类别: Discrete Semiconductor Modules
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我们提供的产品均来自原厂正品.
包装：原厂标准包装
港口：深圳
Q1:平台上看到的库存和价格是否准确？
A1:所有上架的线上商品都可以线上订购，但考虑到现货库存流动性大，目前无法做到100%准确。如有异常，您可以在线联系我司并给出相应的解决方案。
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A2:目前我们自营品牌 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌。其他渠道为原厂和代理渠道。如有需要，我们可以根据具体品牌和型号进行沟通确认。
Q3.您是否在交货前测试或检查所有货物？
A3:是的，我们在发货前 100% 测试和检查所有商品。
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A4:全额付款。货物将在收到付款后 1-5 个工作日内发货。
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