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标准包装
MOSFET 30V Dual N & P-Ch PowerTrench
SOP-8
FDS8858CZ双 N 和 P 通道增强模式电源MOSFET 使用安森美半导体的先进的 PowerTrench 工艺，特别是量身定制，以尽量减少通态电阻，但保持优越的开关性能。
FDS8858CZ设备非常适合低电压和电池供电应用，其中低在线功率损耗和快速需要切换。
产品规格：
制造商: FDS8858CZ
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V, 60 V
Id-连续漏极电流: 8.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 17 mOhms, 20.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V, - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 17 nC, 33 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
配置: Dual
下降时间: 3 ns, 16 ns
正向跨导 - 最小值: 27 S / 21 S
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns, 10 ns
系列: FDS8858CZ
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 19 ns, 33 ns
典型接通延迟时间: 7 ns, 9 ns
宽度: 3.9 mm
单位重量: 187 mg
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我们提供的产品均来自原厂正品.
包装：原厂标准包装
港口：深圳
Q1:平台上看到的库存和价格是否准确？
A1:所有上架的线上商品都可以线上订购，但考虑到现货库存流动性大，目前无法做到100%准确。如有异常，您可以在线联系我司并给出相应的解决方案。
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