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TO-263-7 1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET
TO-263-7
IMBG120R140M1H是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 140 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装，将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合，可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。
产品参数：
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TO263-7
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 189 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 7 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5.7 V
Qg-栅极电荷: 13.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 107 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolSiC
系列: CIPOS Mini IPM
封装: Reel
配置: Single
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 3 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 1.8 ns
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
零件号别名: IMBG120R140M1HXTMA1 SP004463792
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包装：原厂标准包装
港口：深圳
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