ST
原装包装
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V
TO-247
SCTWA60N120G2-4碳化硅功率 MOSFET 器件是使用 ST 开发的先进和创新的第二代SiC MOSFET技术。 装置具有单位面积导通电阻极低和良好的开关特性表现。 开关损耗的变化几乎与结无关温度。
产品参数：
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: HIP247-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 94 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 200 C
Pd-功率耗散: 388 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
合规: Done
配置: Single
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
单位重量: 6.080 g
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我们提供的产品均来自原厂正品.
包装：原厂标准包装
港口：深圳
Q1:平台上看到的库存和价格是否准确？
A1:所有上架的线上商品都可以线上订购，但考虑到现货库存流动性大，目前无法做到100%准确。如有异常，您可以在线联系我司并给出相应的解决方案。
Q2: 能否提供原厂或代理商的资质证明？
A2:目前我们自营品牌 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌。其他渠道为原厂和代理渠道。如有需要，我们可以根据具体品牌和型号进行沟通确认。
Q3.您是否在交货前测试或检查所有货物？
A3:是的，我们在发货前 100% 测试和检查所有商品。
Q4.你们的付款条件是什么？你们什么时候把零件寄给我？
A4:全额付款。货物将在收到付款后 1-5 个工作日内发货。
Q5.如何退款和换货？
A5:100% 退款保证或交换同级产品。
Q6:公司可以开具发票吗？
A6:您可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。
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