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MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device
TO-263-7
IMBG65R039M1H 650 V CoolSiC™ 采用固体碳化硅技术构建英飞凌开发了 20 多年。利用宽带隙SiC 材料特性，650V CoolSiC™ MOSFET 提供了独特的性能、可靠性和易用性的结合。适用于高温度和恶劣的操作，它使简化和成本有效部署最高的系统效率。
产品参数：
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: SMD/SMT
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 54 A
Rds On-漏源导通电阻: 51 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5.7 V
Qg-栅极电荷: 41 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 211 W
通道模式: Enhancement
产品: MOSFET
产品类型: MOSFET
子类别: MOSFETs
零件号别名: IMBG65R039M1H SP005539169
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包装：原厂标准包装
港口：深圳
Q1:平台上看到的库存和价格是否准确？
A1:所有上架的线上商品都可以线上订购，但考虑到现货库存流动性大，目前无法做到100%准确。如有异常，您可以在线联系我司并给出相应的解决方案。
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A2:目前我们自营品牌 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌。其他渠道为原厂和代理渠道。如有需要，我们可以根据具体品牌和型号进行沟通确认。
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A3:是的，我们在发货前 100% 测试和检查所有商品。
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