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MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 20 mohm, 1200 V, M1, TO247-4L Silicon Carbide MOSFET
TO-247
NVH4L020N120SC1 1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET采用全新技术，与硅器件相比，具有更出色的开关性能和更高的可靠性。这些MOSFET具有低导通电阻，可确保低电容和低栅极电荷。1200V EliteSiC MOSFET可实现的系统优势包括提高效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI以及减小系统尺寸。这些MOSFET具有阻断电压、高速开关、低电容等特性，工作温度范围为-55°C至175°C。1200V SiC MOSFET符合汽车AEC-Q101标准和RoHS指令。这些MOSFET非常适合用于升压逆变器、充电站、直流-直流逆变器、直流-直流转换器、车载充电器 (OBC)、电机控制、工业电源和服务器电源。
产品参数：
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 102 A
Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 15 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.3 V
Qg-栅极电荷: 220 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 510 W
通道模式: Enhancement
产品类型: MOSFET
子类别: MOSFETs
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包装：原厂标准包装
港口：深圳
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