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原装包装
CoolSiC™ 1700V MOSFET SIC DISCRETE
TO263-7
IMBF170R450M1 CoolSiC™ 1700 V、450 mΩ SiC MOSFET 采用 TO-263-7 高爬电距离封装，针对反激式拓扑进行了优化，可用于在众多电源应用中连接到 600 V 至 1000 V 直流母线电压的辅助电源。
产品参数：
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-7
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.7 kV
Id-连续漏极电流: 9.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 450 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 11 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 107 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
下降时间: 24 ns
正向跨导 - 最小值: 0.9 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
零件号别名: IMBF170R450M1 SP002739682
单位重量: 1.600 g
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我们提供的产品均来自原厂正品.
包装：原厂标准包装
港口：深圳
Q1:平台上看到的库存和价格是否准确？
A1:所有上架的线上商品都可以线上订购，但考虑到现货库存流动性大，目前无法做到100%准确。如有异常，您可以在线联系我司并给出相应的解决方案。
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A4:全额付款。货物将在收到付款后 1-5 个工作日内发货。
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A5:100% 退款保证或交换同级产品。
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