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CoolSiC™ 650V MOSFET SIC
TO-247
IMZA65R107M1H CoolSiC™ 650V MOSFET将碳化硅的物理强度与放大器件性能、可靠性和易用性相结合。 凭借其最先进的沟槽半导体工艺，CoolSiC™ MOSFET在应用中提供最低的损耗，在操作中提供最高的可靠性。CoolSiC非常适合在高温和恶劣环境应用中使用。
产品参数：
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 142 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5.7 V
Qg-栅极电荷: 15 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 75 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolSiC
系列: IMZA65R107
配置: Single
下降时间: 6.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7.4 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 12.2 ns
典型接通延迟时间: 6.6 ns
零件号别名: IMZA65R107M1H SP005398435
单位重量: 6 g
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包装：原厂标准包装
港口：深圳
Q1:平台上看到的库存和价格是否准确？
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