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MOSFET SIC DISCRETE
TO-247-3
IMW120R140M1H CoolSiC™ 1200V SiC沟槽式MOSFET将碳化硅的强大物理特性与提高器件性能、可靠性和易用性的独特特性结合在一起。CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET基于先进的沟槽半导体，经过优化可提供 最低应用损耗 和 最高运行可靠性。 这些器件适用于在高温和恶劣环境中运行，能够以最高的系统效率实现简化和有效的部署。
IMW120R140M1H CoolSiC™ 1200V SiC沟槽式MOSFET采用紧凑的TO-247-3和TO-247-4封装。TO-247-4封装包含与源极的额外连接（Kelvin连接），它用作栅极驱动电压的参考电位，从而消除电压降在源极电感上的影响。因此，开关损耗甚至低于TO-247-3版本，尤其是在电流更大、开关频率更高的情况下。
产品参数：
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 19 A
Rds On-漏源导通电阻: 182 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 7 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 13 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 94 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolSiC
系列: IMW120RXM1H
封装: Tube
配置: Single
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 最小值: 3 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 2.4 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 10.4 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
零件号别名: IMW120R140M1H SP001946184
单位重量: 6 g
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包装：原厂标准包装
港口：深圳
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